Huawei pradeda pažangių 3 nm lustų kūrimą

Huawei imasi pažangios 3 nm lustų plėtros

Huawei plečia savo puslaidininkių gamybos ribas ir pradeda ambicingą dviejų pažangiausių 3 nm lustų kūrimo projektą. Nepaisant griežtų JAV prekybos sankcijų, ribojančių prieigą prie naujausių puslaidininkių technologijų, šis Kinijos technologijų milžinas ryžtingai stiprina savo puslaidininkių kompetencijas. Tai ženklas apie svarbius pokyčius visoje pasaulinėje lustų pramonėje.

Dviguba strategija: GAA FET ir anglies nanovamzdeliai

Pramonės šaltinių bei Taivano žiniasklaidos nutekinta informacija rodo, kad Huawei taiko dinamišką dvigubą strategiją. Pirmoji kryptis – 3 nm Gate-All-Around (GAA) FET tipo lustai, pasižymintys naujos kartos tranzistorių architektūra, kuri užtikrina didesnį procesorių našumą ir energijos efektyvumą. Kita, dar pažangesnė kryptis – puslaidininkių kūrimas naudojant anglies nanovamzdelius (CNT), kurie gali reikšmingai pranokti tradicinius silicio lustus. Abu variantai numatomi pasiekti bandomosios gamybos etapą iki 2026 metų, o sėkmingai progresuojant technologijoms, masinė gamyba galėtų būti pradėta jau 2027-aisiais.

Patirties išnaudojimas ir technologinių barjerų įveika

Huawei puslaidininkių plėtros strategija remiasi ankstesne sėkme, tokia kaip 5 nm Kirin X90 lustas, pagamintas bendradarbiaujant su SMIC be pažangios EUV litografijos įrangos iš ASML. Naudojant giluminę ultravioletinę (DUV) litografiją ir sudėtingas daugiasluoksnes modeliacijos technologijas, SMIC pavyko pagaminti šiuos lustus, nors ir su žemesniu išeigos lygiu – apie 20 %, kai tokie pramonės lyderiai kaip TSMC ir Samsung naudoja pažangesnę EUV litografiją 3 nm procesams.

Nauji GAA FET lustai gali užtikrinti geresnį našumo ir energijos taupymo santykį, lyginant su ankstesnėmis Kirin versijomis. Vis dėlto, inovacijos su anglies nanovamzdeliais duoda vilčių įveikti tradicinio silicio technologijos ribas, tačiau šios technologijos komercinis pritaikymas kol kas lieka neaiškus.

Iššūkiai, konkurencija ir puslaidininkių ateitis

Didžiausias iššūkis išlieka išeigos rodikliai, kurie 3 nm procese naudojant DUV litografiją dar labiau mažėja ir lemia augančias gamybos sąnaudas bei sudėtingumą. Tačiau Huawei stipriai investuoja – daugiau nei 37 mlrd. JAV dolerių – į vietinę EUV litografijos įrangos plėtrą. Kai kurie ekspertai ir rinkos stebėtojai yra optimistiški, jog iki 2026 metų Huawei gali pasiekti svarbių laimėjimų šioje srityje ir sumažinti priklausomybę nuo tarptautinių tiekėjų. Vis dėlto, skeptikų netrūksta, nes tokių įmonių kaip ASML dominavimas EUV technologijoje išlieka labai stiprus.

Rinkos įtaka ir pasaulinė reikšmė

Jei Huawei pavyks rinkai pristatyti konkurencingus 3 nm lustus, pagrįstus GAA FET arba anglies nanovamzdelių architektūra, įmonė galėtų žymiai sumažinti technologinį atotrūkį nuo tokių puslaidininkių milžinų kaip TSMC ar Samsung. Tai ne tik sustiprintų Kinijos pozicijas pasaulinėje puslaidininkių rinkoje, bet ir skatintų inovacijas bei konkurenciją visame sektoriuje. Visgi pagrindiniais iššūkiais lieka žemi išeigos rodikliai bei priklausomybė nuo DUV technologijos.

Artėjant 2026-iesiems, technologijų sektorius atidžiai stebės tolesnius Huawei puslaidininkių plėtros žingsnius ir galimus proveržius, kurie gali iš esmės pakeisti pasaulinę puslaidininkių rinką.